توضیحات

عنوان فارسی: آشکارسازهایی با یک ساختار HIT بر روی کریستال نوع P ویفر های Si

عنوان انگلیسی:

Photodetectors with an HIT structure on p-type crystalline Si wafers

مقدمه:

ما در مورد آشکارسازهای مادون قرمز طیف مرئی/ نزدیک مادون قرمز مبتنی بر ساختارهای nipip HIT تحقیق کرده ایم. پاسخ دهی این آشکارساز با آشکارساز های pinin مقایسه شد.ساختار nipip در نزدیک مادون قرمز پاسخ بهتری دارند در حالیکه ساختار pinin پاسخ آبی بهتری دارند. در 1V پاسخ دهی ساختار nipip HIT میتواند به 0.478,0.530,0,66A/W برسد در طول موج های 450,650,850nm.

سطح بالایی Si:H(i) ضخیم تر میتواند اجتماع حفره ها را برای ساختار nipip HIT ایجاد کند.اگر ضخامت سطح بالای Si:H(i بتواند به صورت مناسبی افزایش پیدا کند ،پاسخ دهی افزایش خواهد یافت.

معرفی

هتروجانکشن با لایه های نازک داتی (HIT) یک ساختار موثر برای عملیات فتوولتاییک محسوب میشود.و مزیت های زیادی دارد مانند: دماس ساخت پایین ، بازده تبدیل بالا و قیمت کم و غیره [1-3] در شروع Si آمورف (a-si)نوع p بر روی کریستال نوع n ، Si دیپوزیت میشودc-si) ) تا یک سلول خورشیدی هتروجانکشن را ایجاد کند.اگر یک لایه a-si ذاتی بتواند در داخل یک a-si نوع p و c-si نوع n قرار بگیرد عملکرد فوتووولتاییک بهتر خواهد شد [4] لایه ذاتی a-si خواص تداخل را بهبود میبخشد در حالیکه جریان تاریکی را کاهش میدهد و بازترکیب حامل ها را سرکوب میکند.[4.5]بنابراین یک مشخصه جریان – ولتاژ (I-V) بهتری میتواند بدست بیاید.محققان تلاش میکنند به دیپوزیت یک لایه a-si نوع n روی سطح پشتی c-si نوع n برای تحقیق اثر میدان پشتی .که ولتاز مدار باز و بازده را افزایش خواهد داد {6}به صورت مشابه دیپوزیشن سطح جلویی ،هنگامیکه یک لایه ذاتی نازک a-si بین c-si نوع n و a-si نوع n قرار داده شود بازده به علت بهبود کیفیت تداخل افزایش میابد .بنابراین ساختار pinin HIT نهایی برای عملیات فتوولتاییک امید بخش است چون توانایی عالی برای تجمع حامل های تولید شده نوری را دارد [7]علاوه بر عملیات فتوولتاییک ،توانایی تجمع حامل ها در آشمارساز های نوری نیز مد نظر است [8]بنابراین تمایل داریم که آشکارساز های مبتی بر ساختار های HIT را پیشنهاد دهیم چون این سلول های فتوولتاییک بازده مناسبی دارند .آشکارساز های HIT با بدنه نوع n نیز مورد مطالعه قرار گرفته اند[9] و برای توسعه عملیات به مطالعه بدنه نوع p نیز تمایل داریم.و به این نتیجه رسیده ایم که آشکارسازهای HIT بر روی بدنه p به نوع n ،در بعضی از محدوده های طول موجی خاص برتری دارند.

توجه: