کاربرد آشکارساز نانو سیم در مخابرات نوری

توضیحات

کاربرد آشکارساز نانو سیم در مخابرات نوری

آشکار سازی های فوتون شمار میتوانند در مخابرات نوری برای افزایش چشمگیر در حساسیت گیرنده در میان آشکارسازهای نوری معمولی در طول موج های نزدیک به تداخل بدست بدهند. هرچند حداکثر نرخ داده نشان داده شده برای استفاده از این روش حدود  100 kbits/sec برای یک گیرنده شامل سیگنال دیود حساس نسبت به بهمن  InGaAs با حداکثر نرخ داده در حد چند ده مگابیت  است. این نرخ ها با کیفیت های صد گانه ی و اختلاف زمانی در حد نانو ثانیه محدود می شوند. کاربرد هایی که برای نرخ های بسیار بالا مورد نیاز است محدوده ی جدیدی برای پارامتر های گیرنده های شمارش فوتون به وجود می آورد که منجر به تکنولوژی که هنوز دست نیافته شده است نیاز پیدا می شود.

اخیرا هرچند تکنولوژی های جدید بر اساس ابررسانا های NbN نانو سیم ها توصیف شده است. که برای دسترسی به این سازمان مناسب به نظر می رسد. این دستگاهها قبلا با کیفیت کمتر از  50 psecنشان داده شده بودند که در 1550 نانومتر حدود 5 درصد خطا داشتند. در این بخش ما یک معرفی از تلاش MIT برای گسترش این تکنولوژی آشکار ساز در یک راه حل عملی برای مخابرات با حساسیت بالا، نرخ بالا و فوتون شمار  ارائه می شود.

فهرست مطالب کاربرد آشکارساز نانو سیم در مخابرات نوری

• عملیات آشکارساز
• کارایی آشکارساز
• آشکارسازهای نوری فلز-نیمه­ هادی-فلز پلاسمونیک
• آشکارساز نوری
• کاربرد پلاسمونیک در آشکارسازهای نوری
• آشکارساز نانو وایر با قابلیت شمارش تا 100 فوتون
• مکانیسم آشکار ساز نانو سیم های تک فوتونی
• منابع

 

منابع کاربرد آشکارساز نانو سیم در مخابرات نوری

1.[2] Soole, J. B. D., and Schumacher, H., “InGaAs metal-semiconductor-metal photodetectors for longwavelength optical communications,” IEEE Journal of Quantum Electronics, vol. 27, no. 3, pp. 737-752, 1991.

2.[3] Ito, M. and Wada, O., “Low dark current GaAs metal-semiconductor- metal (MSM) photodiodes using WSi, contacts,” IEEE J. Quantum Electron., vol. QE-22, pp. 1073-1077, 1986.

3.[4] Chou, S. Y., and Liu, M. Y., “NanoscaleTera-Hertz Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors,” IEEE Journal of Quantum Electronics, vol. 28, no.10, 1992.

4.[5] Hetterich, J., Bstian, Gippius, G., N. A., Tikhodeev, S. G., Plessen, G. von, and Lemmer, U., “Optimized Design of Plasmonic MSM Photodetector,” IEEE Journal of Quantum Electronics, vol. 43, no. 10, pp. 855-859, 2007

5.[1] Sze, S. M., Coleman Jr., D. I., and Loya, A., “Current transport in metal-semiconductor-metal (MSM) structures,” Solid-state Electron., vol. 14, pp. 1209-1218, 1971.

6.[6] Hecht, B., Bielefeldt, H., Novotny, L., Inouye, Y., and Pohl, D. W., “Local excitation, scattering, and interference of surface plasmons,” Physical Review Letters, vol. 77, pp. 1889-1892, 1996.

7.[7] Barnes, W. L., Dereux, A., and Ebbesen, T. W., “Surface plasmonsubwavelength optics,” Nature, vol. 424, pp. 824-830, 2003.

8.[8] Ebbesen, T. W., Lezec H. J., Ghaemi, H. F., Thio, T., and Wolff, P. A., “Extraordinary optical transmission through sub-wavelength hole arrays,” Nature, vol. 391, pp. 667-669, 1998.

9.[9] Yang, R., and Lu, Z., “SubwavelengthPlasmonic Waveguides and Plasmonic Materials,” International Journal of Optics, vol. 2012 (258013), 2012.

10.[10] Collin, S., Pardo, F., Teissier, R., and Pelourad, J., “Efficient light absorption in metal-semiconductor-metal nanostructures,” Applied Physics Letters, vol. 85, no. 2, pp. 194-196, 2004.

11.[11] Yu, Z., Veronis, G., and Fan, S., “Design of midinfraredphotodetectors enhanced by surface plasmons on grating structures,” Applied Physics Letters 89 (15), 151116, 2006.

12.[12] Bhat, R. D. R., Panoiu, N. C., Brueck, S. R. J., and Osgood, R. M., “Enhancing the signal-to-noise ratio of an infrared photodetector with a circular metal grating,”Optics Express, vol.16, no.7, pp 4588-4596, 2008.

13.[13] Tan, C. L., Lysk, V. V., Alameh, K., Lee, Y. T., “Absorption enhancement of 980 nm MSM photodetector with plasmonic grating structure,” Optics Communications 283 (2010), 1763-1767.

14.[14] Tan, C. L., Lysak, V. V., Das, N., Karaar, A., Alameh, K., Lee, Y. T., “Absorption enhancement of MSM Photodetector structure with a Plasmonic Double Geating Structure,” in 2010 10th IEEE Conference in Nanotechnology (IEEE-NANO) (IEEE,2010), pp. 489-853.

15.[15] Das, N., Karar, A., Tan, C. L., Alameh, K., and Lee, Y. T., “Impact of Nanograting Phase-Shift on Light Absorption Enhancement in Plasmonics-Based Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors,” Advances in Optical Technologies, vol. 2011 (504530).

16.[16] Tan, C. L., Karar, A., Alameh, K., and Lee, Y. T., “Optical absorption enhancement of hybrid-plasmonic-based metal-semiconductor-metal photodetector incorporating metal nanogratings and embedded metal nanoparticles,” Optics Express, vol. 21, no. 2, pp.1713-1725, 2013.

توجه:

• برای دانلود فایل word کامل ترجمه از گزینه افزودن به سبد خرید بالا استفاده فرمایید.
• لینک دانلود فایل بلافاصله پس از خرید بصورت اتوماتیک برای شما ایمیل می گردد.

سفارش تحقیق

به منظور سفارش تحقیق مرتبط با رشته تخصصی خود بر روی کلید زیر کلیک نمایید.

سفارش تحقیق