توضیحات
تحلیل و شبیه سازی مدار با استفاده از CNTFET و CMOS با hspice
۱.شبیه سازی مدارهای شکل های زیر توسط نرم افزار HSPICE و بدست آوردن Power ,Delay و PDP , شکل ورودی و خروجی مدار ها در ولتاژ ها و دما های مختلف و رسم نمودار خطی آنها
۲. محاسبه عدد PDP , Power و Delay در شکل های زیر, در صورتی که به جای ترانزیستور های CNTFET از Cmos استفاده شود.
در قسمت اول منطق سه ارزشی و ترانزیستورها نانو لوله میباشند و باید مطابق شکل ها در نرم افزار پیاده سازی شوند و پارامترها را بدست آوریم
در قسمت دوم باید به جای ترانزیستورهای نانو لوله کربنی ترانزیستورهای CMOS جایگزین شوند و مقادیر را بدست آوریم. فقط مقادیر آنها با روش دلخواه نیاز است.
- پیاده سازی مدارها با Ternary logic CNTFET
از یک منبع تغذیه استفاده می شود . به طوری که ولتاژ تغذیه سطح منطقی “2” ، ولتاژ زمین سطح منطقی “0” ، و نیمی از ولتاژ تغذیه سطح منطقی “1” را تامین می کنند. به طور رایج، طراحی مدارهای دیجیتال با دو سطح منطقی صفر و یک در مبنای 2 انجام می شود ، با ابن حال می توان با اضافه کردن چند سطح منطق دیگر تحت عنوان منطق چند ارزشی در طراحی مدارهای دیجیتال بهره برد که به دلیل کاهش عملیات ریاضی موجب کاهش سطح تراشه و کاهش توان مصرفی می شود. اضافه کردن یک سطح منطقی ، منطق سه ارزشی ternary بدست می آید.
- پیاده سازی CMOS ای:
یک transmission gate مقاومت بالا بین خروجی low-resistance threshold binary متصل می کنیم. طراحی را برای vdd=1.8v انجام میدهیم. و یک 0.9v برای تولید ولتاژ سطح وسط قرار می دهیم.
تحلیل و شبیه سازی مدار با استفاده از CNTFET و CMOS با hspice توسط کارشناسان گروه ۱.۲.۳ پروژه پیاده سازی گردیده و به تعداد محدودی قابل فروش می باشد.فایلهای پروژه به صورت کامل پس از خرید فایل بلافاصله در اختیار شما قرار خواهد گرفت.
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.