توضیحات
عنوان فارسی: یک VCO 2-15 گیگاهرتزی همراه با حذف هارمونیک برای سیستمهای باند گسترده
عنوان انگلیسی مقاله ترجمه شده:
A 2-15 GHz VCO With Harmonic Cancellation for Wide-Band Systems
یک VCO 2-15 گیگاهرتزی همراه با حذف هارمونیک برای سیستمهای باند گسترده
چکیده. یک SiGe VCO 2-15 گیگاهرتزی(اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ) با هارمونیک بسیار پایین، توسعه یافته است. این طرح مبتنی بر مفهوم حذف هارمونیکی و استفاده از اسیلاتور حلقه چندفازه همراه با جمعکنندهی وزنی اکتیو باند گسترده است. VCO منجر به توان خروجی 8- تا 6- dBm و dBm 50-› از سطح هارمونیک مرتبه سوم و پنجم در 2-15 گیگاهرتز میشود. ناحیهی فعال تراشه به دلیل کمبود سلف، بسیار کوچک است ( 67/0 ×25/0 مترمربع) و مصرف توان 88-120 mW از یک منبع 25 واتی است. تا آنجایی که ما میدانیم، این اولین باری است که یکVCO باند گسترده، خروجی موج سینوسی تقریباً کامل در محدودهی فرکانسی گستردهای را نشان میدهد. نواحی عملکرد برای آرایههای فازی و شعاعی باند گسترده، در منابع خودآزمایی هستند.
کلمات کلیدی: BIST، حذف هارمونیک، اسیلاتور حلقهای، SiGe، VCO باند گسترده.
1- مقدمه
تولید سیگنالهای باند گسترده برای چندین سال، یک چالش بوده است و معمولاً مبتنی است بر: الف) یک یا دو VCO که باند اکتاو را همراه با ضربکنندههای فرکانسی ازجمله دوبرابرکننده و سه برابرکننده را پوشش میدهد]1[، ب) یک VCO فرکانس بالا همراه با مجموعهای از تقسیمکنندهها و ج) اسیلاتورهای حلقهای باند گسترده ]2[ و ]3[. زنجیرهی VCO + ضربکننده منجر به نویز فاز پایین میشود، اما نیازمند تعداد زیادی از فیلترهای پسیو(منفعل) به منظور حذف هارمونیکهای ضربی است. متناوباً، زنجیرهی تقسیمکنندهی VCO + ضربکننده نیز منجر به نویز فاز پایین میشود، ولی دارای سطوح هارمونیکی بالا به دلیل خروجی موج مربعی تقسیمکننده است(10- dBm برای هارمونیک مرتبهی سوم). اسیلاتور حلقهای باند گسترده همچنین منجر به سطوح هارمونیکی بالا ناشی از خروجی تقریباً موج مربعی این مدارها میگردد. بنابراین، مدارهای فشردهای که قادر به تولید سیگنال باند گسترده با هارمونیک پایین و بدون نیاز به فیلترهای روی تراشه یا پایینگذر و میانگذر هستند، وجود ندارد.
این مقاله، یک VCO حلقهای باند گسترده با حذف هارمونیکی را بیان میکند. ایدهی آن مبتنی بر تکنیک مورد استفاده در مخلوطکنندههای رد-هارمونیک است که معمولاً به حذف وزنی فاز اشاره دارد]4[. VCO در یک فرآیند SiGe BiCMOS ساخته میشود و به سطوح هارمونیکی dBm 50-› مرتبهی سوم و پنجم در 2-15 گیگاهرتز میرسد. همچنین چنین تکنیک طراحی در یک فرآیند CMOS و همچنین زنجیرههای تقسیمکنندهی VCO + ضربکننده قابل استفاده است.
توجه:
- برای دانلود فایل word کامل ترجمه از گزینه افزودن به سبد خرید بالا استفاده فرمایید.
- لینک دانلود فایل بلافاصله پس از خرید بصورت اتوماتیک برای شما ایمیل می گردد.
به منظور سفارش ترجمه تخصصی مقالات خود بر روی کلید زیر کلیک نمایید.
سفارش ترجمه مقاله
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.